• 镓仁半导体宣布6英寸氧化镓衬底线开工
    镓仁半导体宣布6英寸氧化镓衬底线开工
    据镓仁半导体公众号消息,近日,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展,成功研制超薄6英寸衬底,衬底厚度小于200微米。据悉,氧化镓(β-Ga2O3)具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势,能够极大地降低...

    2024-09-18

  • 工信部推广国产DUV光刻机,最小套刻精度≤8nm
    工信部推广国产DUV光刻机,最小套刻精度≤8nm
    自中华人民共和国工业和信息化部官网获悉,日前,工信部宣布印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》。其中,在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》电子专用装备目录下,集成电路设备方面包括:氟化氩光刻...

    2024-09-18

  • 2024年中国及31省市第三代半导体材料行业政策汇总及解读
    2024年中国及31省市第三代半导体材料行业政策汇总及解读
    1、政策历程图第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后,迅速发展起来的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),主要...

    2024-07-22

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