据镓仁半导体公众号消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。

据悉，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。但由于氧化镓热导率较低，使其在高功率领域的应用受到极大的限制。减薄衬底厚度，能够使器件产生的热量通过衬底散出，增强器件的散热能力，提高器件性能。超薄6英寸衬底为高性能器件的制备提供了一种新选择，满足功率器件领域的科研与生产需求，促进业内产学研协同合作。

资料显示，杭州镓仁半导体有限公司主要从事氧化镓等半导体单晶材料的研发与生产。近期完成了近亿元Pre-A轮融资，镓仁半导体称未来将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展，助力“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。