• 镓仁半导体宣布6英寸氧化镓衬底线开工
    镓仁半导体宣布6英寸氧化镓衬底线开工
    据镓仁半导体公众号消息,近日,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展,成功研制超薄6英寸衬底,衬底厚度小于200微米。据悉,氧化镓(β-Ga2O3)具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势,能够极大地降低...

    2024-09-18

  • 工信部推广国产DUV光刻机,最小套刻精度≤8nm
    工信部推广国产DUV光刻机,最小套刻精度≤8nm
    自中华人民共和国工业和信息化部官网获悉,日前,工信部宣布印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》。其中,在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》电子专用装备目录下,集成电路设备方面包括:氟化氩光刻...

    2024-09-18

  • 晶合集成光刻掩模版下线
    晶合集成光刻掩模版下线
    据晶合集成官微消息,今日,由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相,不仅填补了安徽省在该领域的空白,进一步提升本土半导体产业的竞争力,更标志着晶合集成在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后,可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服...

    2024-07-19

  • SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
    SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
    据韩媒报道,半导体封装企业Genesem已向韩国芯片制造商SK海力士提供了用于生产高带宽存储器(HBM)的下一代混合键合设备。据悉,混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加...

    2024-07-19

  • 三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
    三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
    据韩媒报道,三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部,是HBM芯片的核心组件之一。据悉,4nm工艺节点是三星的标志性芯片代工制程,良率超过70%,已经应用于三星新推出的Exynos ...

    2024-07-19

聚焦新闻 Focus on News

MORE